晶振

在振荡器应用上，振荡器总是选择很强的模式工作。一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性。有时候，当温度发生改变，在一定温度下，寄生模的频率与振荡频率一致，这导致了“活动性下降”。在活动性下降时，寄生模的激励引起谐振器的额外能量的消耗，导致q 值的减小，等效串联电阻增大及振荡器频率的改变。当阻抗增加到相当大的时候，振荡器就会停止，即振荡器失效。当温度改变远离活动性下降的温度时，振荡器又会重新工作。寄生模能有适当的设计和封装方法控制。不断修正电极与晶片的尺寸关系（即应用能陷原则），并保持晶片主平面平行，这样就能把寄生模很小化。

晶振指标

静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。

工作温度范围：能够---振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。

频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度允许频偏。

负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，用cl表示。

负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20pf、30pf、50pf、100pf。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf。

激励电平的影响：一般来讲，at切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；---热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作---及指标的不稳定。

滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应---说明。