275度高温晶体管

电力晶体管

电力晶体管按英文giant transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（bipolar junction transistor—bjt），所以有时也称为power bjt；耗散功率耗散功率也称集电极允许耗散功率pcm，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的集电极耗散功率。其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；gtr和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

200度达林顿晶体管

北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，具有体积小，电压范围大，结实---，可耐高温，常用型号有2n2222a等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。

双极结型晶体管

双极结型晶体管（bipolar junction transistor—bjt）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个pn结结合在一起的器件，有pnp和npn两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；由于所有的电子设备都需要使用直流，但电力公司的供电是交流，因此除非使用电池，否则所有电子设备的电源供应器内部都少不了整流器。bjt有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了---这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；bjt种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。

150度mos管

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。场效应晶体管的三个极，分别是源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。这样的器件被认为是对称的。

250度高温整流器

晶闸管整流器

在设计上非常接近二极管整流器的是晶闸管整流器[1]。因为晶闸管整流器的电参数是可控的，所以不需要有载抽头变换器和饱和电抗器。

因为晶闸管整流器不包含运动部件，所以晶闸管整流器系统的维修减少了。注意到的一个优点是晶闸管整流器的调节速度较二极管整流器快。在过程特性的阶跃期间，晶闸管整流器常常调节很快，以致能够避免过电流。一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。其结果是晶闸管系统的过载能力能够设计得比二极管系统小。