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175度三极管

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耗散功率耗散功率也称集电极允许耗散功率pcm，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的允许结温和集电极电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过pcm值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

通常将耗散功率pcm小于1w的晶体管称为小功率晶体管，pcm等于或大于1w、小于5w的晶体管被称为---率晶体管，将pcm等于或大于5w的晶体管称为大功率晶体管。

150度达林顿晶体管

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光晶体管

光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，现货经营200度稳压二极管公司，故容易实现电控或电同步。光晶体管主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益---，但速度不太快，对于gaas-gaalas，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，现货批发150度稳压二极管公司，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快（约为50皮秒），但缺点是光敏面积小，增益小（放大系数可大于10），常用作---速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。