eeprom-北京启尔特-油田210度eeprom品牌

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除nor器件时是以64~128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5ms，全国200度eeprom品牌，与此相反，擦除nand器件是以8~32kb的块进行的，执行相同的操作多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，---必须权衡以下的各项因素。

● nor的读速度比nand稍快一些。

● nand的写入速度比nor快很多。

● nand的4ms擦除速度远比nor的5ms快。

● 大多数写入操作需要---行擦除操作。

● nand的擦除单元更小，油田200度eeprom品牌，相应的擦除电路更少。

175度高温精密存储器

北京启尔特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高温存储器，美国原厂进口，耐高温，性能稳定，各种容量都有，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！

高速缓冲存储器(cache)其原始意义是指存取速度比一般随机存取记忆体(ram)来得快的一种ram，一般而言它不像系统主记忆体那样使用dram技术，而使用昂贵但较快速的sram技术，也有快取记忆体的名称。

高速缓冲存储器是存在于主存与cpu之间的一级存储器， 由静态存储芯片(sram)组成，容量比较小但速度比主存高得多， 接近于cpu的速度。在计算机存储系统的层次结构中，是介于中央处理器和主存储器之间的高速小容量存储器。它和主存储器一起构成一级的存储器。高速缓冲存储器和主存储器之间信息的调度和传送是由硬件自动进行的。

高速缓冲存储器重要的技术指标是它的命中率。

150度存储器25lc系列

北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器，此款存储器存储容量256kb，温度可到175度，很多客户采用串联方式使用，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！

eeprom与fram：eeprom和fram的设计参数类似，但fram的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择eeprom而不是fram，其主要原因是成本(fram较为昂贵)、水平和供货情况。设计---常常使用成本较低的串行eeprom，除非耐久性或速度是强制性的系统要求。dram和sram都是易失性存储器，尽管这两种类型的网络存储器存储器都可以用作程序存储器和数据存储器，但sram主要用于数据存储器。dram与sram之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电，sram就能保持其数据，但dram只有极短的数据寿命，通常为4毫秒左右。与sram相比，dram似乎是---用处的，eeprom，但位于微控制器内部的dram控制器使dram的性能表现与sram一样。dram控制器在数据消失之前周期性地刷新所存储的数据，所以存储器的内容可以根据需要保持长时间。由于比特成本低，dram通常用作程序存储器，所以有庞大存储要求的应用可以从dram获益。它的缺点是速度慢，但计算机系统使用高速sram作为高速缓冲存储器来弥补dram的速度缺陷。