全国供应260度电容价格-北京启尔特-电容

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    2020-11-7

齐奎
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200度高压电容

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以银做电极的独石低频瓷介质电容器,由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质,存在较大的气孔率;此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部,在高温下依靠氧化钡和银之间---的浸润“互熔”能力,使电极及介质内部出现热扩散现象,进口200度电容价格,即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中后,---减薄了介质的有效厚度,引起产品绝缘电阻的减少和---性的降低。为了提高独石电容器的---性,改用银-钯电极代替通常含有氧化钡的电极,并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象,能促使瓷料烧结致密化,使得产品的性能和---性有较大提高,与原工艺和介质材料相比较,电容器的---性提高了1~2个数量级。


150度高温陶瓷贴片电容

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退耦电容,用在退耦电路中的电容器称为退耦电容,在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路,退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。


250度直插电容

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离子迁移可---破坏正电极表面银层,引线焊点与电极表面银层之间,间隔着具有半导体性质的氧化银,使无介质电容器的等效串联电阻增大,电容,金属部分损耗增加,电容器的损耗角正切值---上升。

  由于正电极有效面积减小,电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移---时,两电极间搭起树枝状的银桥,使电容器的绝缘电阻大幅度下降。

  综上所述,银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化,而且可能引起介质击穿场强下降,后导---容器击穿。


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