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测井200度存储器

存储器测试的目的是确认在存储设备中的每一个存储位置都在工作。换一句---，如果你把数50存储在一个具体的地址，你希望可以找到存储在那里的那个数，直到另一个数写入。任何存储器测试的基本方法是，往存储器写入一些数据，然后根据内存设备的地址，ldo稳压器，校验读回的数据。如果所有读回的数据和那些写入的数据是一样的，那么就可以说存储设备通过了测试。只有通过认真选择的一组数据你才可以确信通过的结果是有意义的。

当然，200度进口ldo稳压器品牌，像刚才描述的有储器的测试不可避免地具有破坏性。在内存测试过程中，你必须覆盖它原先的内容。因为重写非易失性存储器内容通常来说是不可行的，这一部分描述的测试通常只适用于ram 的测试。

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eeprom与fram

eeprom和fram的设计参数类似，但fram的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择eeprom而不是fram，其主要原因是成本(fram较为昂贵)、水平和供货情况。设计---常常使用成本较低的串行eeprom，除非耐久性或速度是强制性的系统要求。

dram和sram都是易失性存储器，175度进口ldo稳压器品牌，尽管这两种类型的存储器都可以用作程序存储器和数据存储器，但sram主要用于数据存储器。dram与sram之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电，175度测井ldo稳压器品牌，sram就能保持其数据，但dram只有极短的数据寿命，通常为4毫秒左右。

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数据存储器

当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行sram并使用外部串行eeprom器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。

针对非易失性存储器要求，串行eeprom器件支持i2c、spi或微线(microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用spi总线。由于写入速度很快且带有i2c和spi串行接口，fram在一些系统中得到应用。

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