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nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

nand读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

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按存储器的性质分类     ⑴ram随机存取存储器（random access memory）     cpu根据ram的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后，所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同，ram又分为两类：     sram静态ram（static ram）      静态ram速度非常快，只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个mos管组成1位。集成度较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器（cache memory）用它组成。          dram动态ram（dynamic ram）    dram内容在 或 秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新（refresh）。由于他的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此他的集成成本较低，另外耗电也少，但是需要刷新电路。⑵rom只读存储器（read only memory）   rom存储器将程序及数据固化在芯片中，数据只能读出不能写入。电源关掉，直插175度存储器公司，数据也不会丢失。rom按集成电路的内部结构可以分为：prom可编程rom（programable rom ）将设计的程序固化进去，贴片175度存储器公司，rom内容不可更改。eprom可擦除、可编程（erasable prom）可编程固化程序，且在程序固化后可通过紫外线光照擦除，以便重新固化新数据。eeprom电可擦除可编程（electrically erasable prom）        可编程固化程序，并可利用电压来擦除芯片内容，以便重新固化新数据。