150度晶体振荡器参数-北京-晶体振荡器

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    2024-7-5

齐奎
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晶振

根据引线状况可分为直插(有引线)与表面贴装(无引线)两种类型。当前常见的主要封装型号有hc-49u、hc-49/s、glass、um-1、um-4、um-5与smd。

压电效应:

对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移,晶体振荡器,产生极化,从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷.在一定应力范围内,机械力与电荷呈线性可逆关系.这种现象称为压电效应.

作用:提供系统振荡脉冲,稳定频率,选择频率.





晶振

晶体电阻:对于同一频率,当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。

工作温度范围与温度频差:在提出温度频差时,150度晶体振荡器参数,应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求---,同时空间和功率都允许的情况下,应考虑恒温工作,恒温晶体振荡器就是为此而设计的。

负载电容与频率牵引:在许多应用中,都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求,这在锁相环回路及调频应用中非常---,大多数情况下,175度晶体振荡器参数,这个负载电抗呈容性,当该电容值为cl时,则相对负载谐振频率偏移量为:dl=c1/[2(c0+cl)]。



晶振

负载电容的选择:晶体工作在基频时,其负载电容的标准值为20pf、30pf、50pf、100pf。而泛音晶体经常工作在串联谐振,在使用负载电容的地方,其负载电容值应从下列标准值中选择:8pf、12pf、15pf、20pf、30pf。

激励电平的影响:一般来讲,at切晶体激励电平的增大,其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应,导致可能出现寄生振荡;---热频漂;过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作---及指标的不稳定。

滤波电路中的应用:应用于滤波电路中时,除通常的规定外,更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度,由于滤波晶体设计的特殊性,所以用户选购时应---说明。



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